и установление механизма излучательной рекомбинации в пленочных структурах для солнечных элементов нового поколения коллектив белорусских ученых отмечен в follow link ТОП-10 фундаментальных работ НАН Беларуси.
 
Авторы работы – сотрудники ГНПО «НПЦ НАН Беларуси по материаловедению» (А.Мудрый, В.Живулько, О.Бородавченко) и Института физики им. Б.И.Степанова НАН Беларуси (В.Павловский, И.Свитенков, Е.Луценко, Г.Яблонский).
 
Создание фотопреобразователей солнечной энергии на основе полупроводниковых материалов является приоритетным направлением в современной науке и технике. Лидирующие позиции в этой области занимает технология создания солнечных элементов на основе кремния. Коэффициент полезного действия солнечных элементов на основе монокристаллического кремния в настоящее время достиг рекордного значения − более 25%. В последние годы достойную конкуренцию им составляют солнечные элементы на основе многокомпонентных прямозонных полупроводников со структурой халькопирита. Коэффициент полезного действия солнечных элементов на основе халькопирита достиг 22,6%, что сопоставимо со значением КПД для элементов на кремнии. Более дешевая технология создания солнечных элементов в тонкопленочном исполнении дает определенные преимущества и перспективу полупроводникам на основе твердых растворов халькопирита.
 
Ученые НПЦ НАН Беларуси по материаловедению более 25 лет активно работают в области физики и технологии тонких пленок и солнечных элементов на основе многокомпонентных полупроводников. Опубликовано более 80 научных работ в этой области физики, сотрудничают с европейскими учеными. Многие из статей размещены в престижных научных журналах с высоким импакт-фактором. Физическая сущность исследований заключается в следующем. Для получения высокой эффективности фотовольтаического преобразования важно обеспечить в процессе производства солнечных элементов надлежащее структурное качество всех составляющих слоев. Важнейшей частью солнечного элемента является тонкая пленка многокомпонентного прямозонного полупроводника Cu(In,Ga)Se2. Главный научный сотрудник НПЦ НАН Беларуси по материаловедению Александр Мудрый рассказал, что поглощаемый в пленке солнечный свет создает свободные неравновесные носители заряда, которые обеспечивают создание фототока в солнечном элементе. Однако наличие дефектов и примесей в поликристаллической пленке приводит к локализации на них свободных носителей заряда с последующей излучательной или безызлучательной рекомбинацией, исключающей их участие в создании фототока, что является причиной снижения КПД солнечных элементов. Для его повышения необходимо глубокое изучение поведения свободных носителей заряда и устранение эффектов, предотвращающих их участие в создании фототока.
 
Ведущий научный сотрудник Института физики Вячеслав Павловский пояснил, что для изучения процессов рекомбинации носителей заряда в таких пленках часто используют их фотолюминесценцию при низких уровнях возбуждения.
 
По сути, исследования являются основой для возможного использования многокомпонентных полупроводников в оптоэлектронике. С практической точки зрения высокий уровень возбуждения с различными длинами волн дает идеальный способ контроля качества электронных свойств тонких пленок и солнечных элементов, созданных на их основе, и значительно упрощает контроль технологии их производства.
 
http://9000977.ru/low/v-kakoy-apteke-kupit-tramadol.html Фото автора, «Навука»